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G2R1000MT33J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG2R1000MT33JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark89AH0974
Gama de produtosG2R Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 30 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 15.270 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 15,270.00
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG2R1000MT33JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark89AH0974
Gama de produtosG2R Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance1ohm
On Resistance Rds(on)1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd74W
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation74W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG2R Series
SVHCLead
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
On Resistance Rds(on)
1ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
74W
Power Dissipation
74W
Product Range
G2R Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto