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ZXT13P12DE6
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXT13P12DE6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70K9269RL
Segmento de fita70K9269
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.140 | $ 1.14 |
| Total Preço | $ 1.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.140 |
| 10+ | $ 0.951 |
| 25+ | $ 0.853 |
| 50+ | $ 0.771 |
| 100+ | $ 0.677 |
| 250+ | $ 0.608 |
| 500+ | $ 0.504 |
| 1000+ | $ 0.489 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXT13P12DE6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70K9269RL
Segmento de fita70K9269
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo12V
Collector Emitter Voltage Max12V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation1.1W
Power Dissipation Pd1.1W
DC Collector Current4A
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE500hFE
No. of Pins6Pins
Transition Frequency55MHz
DC Current Gain hFE Min500hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZXT13P12DE6 is a SuperSOT4™ PNP silicon low saturation switching Bipolar Transistor. It is 4th generation ultra-low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.
- Extremely low equivalent ON-resistance
- Extremely low saturation voltage
- hFE characterised up to 15A
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
1.1W
DC Collector Current
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
6Pins
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
12V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation Pd
1.1W
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE
500hFE
Transition Frequency
55MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto