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ZXMP6A18DN8TA
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMP6A18DN8TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65T9559RL
Segmento de fita65T9559
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.690 | $ 2.69 |
| Total Preço | $ 2.69 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.690 |
| 50+ | $ 1.420 |
| 100+ | $ 1.300 |
| 250+ | $ 1.270 |
| 500+ | $ 1.250 |
| 1000+ | $ 1.220 |
| 2500+ | $ 1.200 |
| 5000+ | $ 1.170 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMP6A18DN8TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65T9559RL
Segmento de fita65T9559
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The ZXMP6A18DN8TA is a P-channel enhancement-mode Dual MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin finish leads as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile package
- Halogen-free, Green device
- UL94V-0 Flame-rated moulded plastic case
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Defence, Military & Aerospace
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto