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ZXMN6A11DN8TA
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMN6A11DN8TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62M1304RL
Segmento de fita62M1304
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 43 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.640 | $ 1.64 |
| Total Preço | $ 1.64 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.640 |
| 50+ | $ 1.080 |
| 100+ | $ 0.750 |
| 250+ | $ 0.746 |
| 500+ | $ 0.741 |
| 1000+ | $ 0.737 |
| 2500+ | $ 0.732 |
| 5000+ | $ 0.690 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMN6A11DN8TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62M1304RL
Segmento de fita62M1304
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel3.2A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZXMN6A11DN8TA is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET with unique structure combining the benefits of low ON-resistance and fast switching. It is ideal for DC-to-DC converter applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile
Aplicações
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
3.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
3.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto