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ZXMN10A25KTC
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMN10A25KTCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62M1302
Segmento de fita62M1302
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.980 | $ 1.98 |
| Total Preço | $ 1.98 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.980 |
| 10+ | $ 1.230 |
| 25+ | $ 1.100 |
| 50+ | $ 0.974 |
| 100+ | $ 0.849 |
| 250+ | $ 0.761 |
| 500+ | $ 0.673 |
| 1000+ | $ 0.625 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMN10A25KTCCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida62M1302
Segmento de fita62M1302
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.4A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
On Resistance Rds(on)0.125ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd9.85W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation9.85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZXMN10A25KTC is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low gate drive
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Defence, Military & Aerospace, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.4A
On Resistance Rds(on)
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
9.85W
Power Dissipation
9.85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto