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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMN10A11GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98K4130RL
Segmento de fita98K4130
Seu número de peça
641 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.200 | $ 1.20 |
| Total Preço | $ 1.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.200 |
| 10+ | $ 0.994 |
| 25+ | $ 0.891 |
| 50+ | $ 0.806 |
| 100+ | $ 0.707 |
| 250+ | $ 0.635 |
| 500+ | $ 0.526 |
| 1000+ | $ 0.511 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMN10A11GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98K4130RL
Segmento de fita98K4130
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
On Resistance Rds(on)0.6ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3.9W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.9W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZXMN10A11G is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low gate drive
- Low input capacitance
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Defence, Military & Aerospace, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
On Resistance Rds(on)
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.9W
Power Dissipation
3.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para ZXMN10A11G
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
