Imprimir página
ZXMC3A17DN8TA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.05 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMC3A17DN8TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6600
Rodo à Medida62M1299RL
Segmento de fita62M1299
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 43 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.150 | $ 2.15 |
| Total Preço | $ 2.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.150 |
| 50+ | $ 1.440 |
| 100+ | $ 1.030 |
| 250+ | $ 1.010 |
| 500+ | $ 0.989 |
| 1000+ | $ 0.968 |
| 2500+ | $ 0.948 |
| 5000+ | $ 0.927 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 0.509 |
| 1000+ | $ 0.483 |
| 2000+ | $ 0.465 |
| 3000+ | $ 0.459 |
| 5000+ | $ 0.454 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXMC3A17DN8TACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6600
Rodo à Medida62M1299RL
Segmento de fita62M1299
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.4A
Continuous Drain Current Id P Channel4.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.05ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZXMC3A17DN8TA is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. It is ideal for high efficiency, low voltage and LCD backlighting applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile
Aplicações
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.05ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto