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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXM61P02FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6636
Rodo à Medida78K5560RL
Segmento de fita78K5560
Seu número de peça
375 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.514 | $ 2.57 |
| Total Preço | $ 2.57 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.514 |
| 10+ | $ 0.419 |
| 25+ | $ 0.371 |
| 50+ | $ 0.330 |
| 100+ | $ 0.283 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.193 |
| 6000+ | $ 0.177 |
| 12000+ | $ 0.166 |
| 18000+ | $ 0.155 |
| 30000+ | $ 0.147 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXM61P02FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6636
Rodo à Medida78K5560RL
Segmento de fita78K5560
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id900mA
Drain Source On State Resistance0.6ohm
On Resistance Rds(on)0.6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd625mW
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZXM61P02F is a P-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish terminals as per MIL-STD-202 standard. It utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed, making it ideal for high-efficiency power management applications.
- Low threshold
- Low gate drive
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Defence, Military & Aerospace, Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
On Resistance Rds(on)
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
625mW
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
