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ZXM61N03F
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXM61N03FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6635
Rodo à Medida98K4138RL
Segmento de fita98K4138
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.584 | $ 2.92 |
| Total Preço | $ 2.92 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.584 |
| 10+ | $ 0.488 |
| 15+ | $ 0.439 |
| 25+ | $ 0.397 |
| 50+ | $ 0.349 |
| 125+ | $ 0.314 |
| 250+ | $ 0.261 |
| 500+ | $ 0.254 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.261 |
| 9000+ | $ 0.257 |
| 15000+ | $ 0.242 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZXM61N03FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6635
Rodo à Medida98K4138RL
Segmento de fita98K4138
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.4A
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd806mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The ZXM61N03F is a N-channel enhancement mode MOSFET uses diodes proprietary, high density, uses advanced trench technology. Designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. Suitable for low voltage and current applications.
- Low on resistance
- Low gate threshold voltage
- Fast switching speed
- AEC-Q101 Qualified
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
806mW
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para ZXM61N03F
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto