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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.310 |
| 10+ | $ 0.866 |
| 100+ | $ 0.599 |
| 500+ | $ 0.497 |
| 1000+ | $ 0.464 |
| 2500+ | $ 0.448 |
| 12000+ | $ 0.423 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.31
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVP3306A
Código Newark98K4112
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id160mA
Drain Source On State Resistance14ohm
On Resistance Rds(on)14ohm
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd625mW
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZVP3306A is a P-channel enhancement mode Vertical DMOS FET.
- AEC-Q101 Qualified
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Case Style
E-Line
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
160mA
On Resistance Rds(on)
14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
625mW
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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