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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVN3310ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark98K4102
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.300 |
| 10+ | $ 0.813 |
| 100+ | $ 0.537 |
| 500+ | $ 0.418 |
| 1000+ | $ 0.380 |
| 2500+ | $ 0.339 |
| 12000+ | $ 0.313 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.30
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVN3310ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark98K4102
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance10ohm
On Resistance Rds(on)10ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd625mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZVN3310A is a 100V E-Line N-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 10Ω resistance and 625mW power dissipation.
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
10ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
625mW
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (5)
Alternativas para ZVN3310A
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
