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ZVN2106A
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 450 mA, 2 ohm, TO-226AA, Through Hole
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVN2106ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark85K9988
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.200 |
| 10+ | $ 0.795 |
| 100+ | $ 0.560 |
| 500+ | $ 0.459 |
| 1000+ | $ 0.427 |
| 2500+ | $ 0.406 |
| 12000+ | $ 0.387 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVN2106ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark85K9988
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id450mA
On Resistance Rds(on)2ohm
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd700mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZVN2106A is a N-channel enhancement mode MOSFET with 8A pulsed drain current.
- ±20V Gate Source Voltage
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
450mA
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
700mW
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto