Imprimir página
MMBT5401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteMMBT5401-7-FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH4157
Rodo à Medida07AH4156RL
Segmento de fita07AH4156
Seu número de peça
6,871 Em Estoque
30,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.187 | $ 0.19 |
| Total Preço | $ 0.19 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.187 |
| 10+ | $ 0.120 |
| 25+ | $ 0.106 |
| 50+ | $ 0.091 |
| 100+ | $ 0.077 |
| 250+ | $ 0.068 |
| 500+ | $ 0.058 |
| 1000+ | $ 0.050 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.032 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteMMBT5401-7-FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH4157
Rodo à Medida07AH4156RL
Segmento de fita07AH4156
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max150V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo150V
DC Collector Current600mA
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation310mW
Power Dissipation Pd310mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min60hFE
DC Current Gain hFE50hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
MMBT5401-7-F is a PNP high-voltage transistor.
- Epitaxial planar die construction
- Complementary NPN type - MMBT5551
- Ideal for low-power amplification and switching
- SOT23 package
- Power dissipation is 310mW at TA = +25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
- Collector-emitter saturation voltage is -0.2V max at IC = -10mA, IB = -1mA, TA = +25°C
- Current gain-bandwidth product is 300MHz max at VCE = -10V, IC = -10mA, f = 100MHz
- Noise figure is 8.0dB max at VCE = -5V, IC = -200μA, RS = 10 ohm, f = 1kHz
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
150V
Continuous Collector Current
600mA
Power Dissipation Pd
310mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
DC Current Gain hFE
50hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
150V
DC Collector Current
600mA
Power Dissipation
310mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMBT5401-7-F
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto