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DMTH43M8LK3Q-13
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TO-252
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMTH43M8LK3Q-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8837
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734 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.800 |
| 10+ | $ 1.140 |
| 25+ | $ 1.020 |
| 50+ | $ 0.891 |
| 100+ | $ 0.764 |
| 250+ | $ 0.683 |
| 500+ | $ 0.602 |
| 1000+ | $ 0.549 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.80
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMTH43M8LK3Q-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8837
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance2900µohm
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd3.1W
Power Dissipation3.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
3.1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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