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DMT6016LFDF-7
MOSFET, N-CH, 60V, 8.9A, UDFN2020
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMT6016LFDF-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4853
Rodo à Medida88AH8627RL
Segmento de fita88AH8627
Gama de produtosDMT6016LFDF
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.150 | $ 5.75 |
| Total Preço | $ 5.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.150 |
| 10+ | $ 0.747 |
| 25+ | $ 0.680 |
| 50+ | $ 0.614 |
| 100+ | $ 0.547 |
| 250+ | $ 0.507 |
| 500+ | $ 0.466 |
| 1000+ | $ 0.404 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.269 |
| 6000+ | $ 0.258 |
| 12000+ | $ 0.246 |
| 18000+ | $ 0.234 |
| 30000+ | $ 0.219 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMT6016LFDF-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4853
Rodo à Medida88AH8627RL
Segmento de fita88AH8627
Gama de produtosDMT6016LFDF
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.9A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.0122ohm
Transistor Case StyleUDFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation820mW
Power Dissipation Pd820mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeDMT6016LFDF
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
UDFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
820mW
No. of Pins
6Pins
Product Range
DMT6016LFDF
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.9A
On Resistance Rds(on)
0.0122ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
820mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto