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DMT6012LFDF-7
MOSFET, N-CH, 60V, 9.5A, U-DFN2020
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMT6012LFDF-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4852
Rodo à Medida36AJ3610RL
Segmento de fita36AJ3610
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.170 | $ 5.85 |
| Total Preço | $ 5.85 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.170 |
| 10+ | $ 0.734 |
| 25+ | $ 0.650 |
| 50+ | $ 0.564 |
| 100+ | $ 0.480 |
| 250+ | $ 0.425 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.281 |
| 6000+ | $ 0.269 |
| 12000+ | $ 0.258 |
| 18000+ | $ 0.252 |
| 30000+ | $ 0.250 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMT6012LFDF-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4852
Rodo à Medida36AJ3610RL
Segmento de fita36AJ3610
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id9.5A
On Resistance Rds(on)0.0107ohm
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation11W
Power Dissipation Pd11W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0107ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
11W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.5A
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation Pd
11W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto