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DMT10H014LSS-13
MOSFET, N-CH, 100V, 8.9A, SOIC
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMT10H014LSS-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8859
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.670 |
| 10+ | $ 1.010 |
| 25+ | $ 0.924 |
| 50+ | $ 0.833 |
| 100+ | $ 0.744 |
| 250+ | $ 0.681 |
| 500+ | $ 0.624 |
| 1000+ | $ 0.596 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.67
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMT10H014LSS-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8859
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id8.9A
On Resistance Rds(on)0.0115ohm
Drain Source On State Resistance0.0115ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.2W
Power Dissipation Pd1.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0115ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.2W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.9A
Drain Source On State Resistance
0.0115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto