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DMP4065S-7
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 2.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP4065S-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida07AH3813RL
Segmento de fita07AH3813
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|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.597 | $ 0.60 |
| Total Preço | $ 0.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.597 |
| 50+ | $ 0.282 |
| 100+ | $ 0.251 |
| 250+ | $ 0.245 |
| 500+ | $ 0.238 |
| 1000+ | $ 0.232 |
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| 5000+ | $ 0.190 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP4065S-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida07AH3813RL
Segmento de fita07AH3813
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.064ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd720mW
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation720mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
DMP4065S-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -40V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -2.4A at TC = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.72W
- Static drain-source on-resistance is 80mohm max at VGS = -10V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
On Resistance Rds(on)
0.064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
720mW
Power Dissipation
720mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
