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DMP3099L-7
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP3099L-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4826
Rodo à Medida82Y6589RL
Segmento de fita82Y6589
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.319 | $ 0.32 |
| Total Preço | $ 0.32 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.319 |
| 50+ | $ 0.151 |
| 100+ | $ 0.134 |
| 250+ | $ 0.132 |
| 500+ | $ 0.129 |
| 1000+ | $ 0.127 |
| 2500+ | $ 0.124 |
| 5000+ | $ 0.122 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.094 |
| 9000+ | $ 0.083 |
| 15000+ | $ 0.081 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP3099L-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4826
Rodo à Medida82Y6589RL
Segmento de fita82Y6589
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.08W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation1.08W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
DMP3099L-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include backlighting, power-management functions, DC-DC converters.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Drain current is -3.8A at TA = +25°C, steady state, TA = +25°C
- Pulsed drain current is -11A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.08W
- Static drain-source on-resistance is 65mohm max at VGS = -10V, ID = -3.8A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.08W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.08W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto