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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP3085LSS-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8755RL
Segmento de fita28AK8755
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.453 | $ 2.26 |
| Total Preço | $ 2.26 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.453 |
| 10+ | $ 0.280 |
| 25+ | $ 0.246 |
| 50+ | $ 0.211 |
| 100+ | $ 0.177 |
| 250+ | $ 0.145 |
| 500+ | $ 0.113 |
| 1000+ | $ 0.103 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP3085LSS-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8755RL
Segmento de fita28AK8755
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.8A
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.3W
Power Dissipation Pd1.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.3W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
