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DMP3056LSD
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP3056LSDCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark65T8232
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.640 |
| 10+ | $ 0.525 |
| 100+ | $ 0.377 |
| 500+ | $ 0.335 |
| 1000+ | $ 0.301 |
| 2500+ | $ 0.257 |
| 10000+ | $ 0.251 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP3056LSDCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark65T8232
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id6.9A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel6.9A
Continuous Drain Current Id P Channel6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The DMP3056LSD is a dual P-channel enhancement-mode MOSFET designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance. It is ideal for high efficiency backlighting and DC-to-DC converter applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching performance
- Low input/output leakage
- Halogen-free
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicações
Industrial, Power Management, Lighting
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
6.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto