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DMP1200UFR4-7
MOSFET, P-CH, 12V, 2A, X2-DFN1010
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP1200UFR4-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark28AK8679
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.567 |
| 10+ | $ 0.348 |
| 25+ | $ 0.306 |
| 50+ | $ 0.264 |
| 100+ | $ 0.221 |
| 250+ | $ 0.195 |
| 500+ | $ 0.167 |
| 1000+ | $ 0.148 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 2.84
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP1200UFR4-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark28AK8679
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StyleX2-DFN1010
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd480mW
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
X2-DFN1010
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
480mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto