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DMP10H400SE-13
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP10H400SE-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4799
Rodo à Medida07AH3793RL
Segmento de fita07AH3793
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.230 | $ 6.15 |
| Total Preço | $ 6.15 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.230 |
| 10+ | $ 0.803 |
| 15+ | $ 0.741 |
| 25+ | $ 0.680 |
| 50+ | $ 0.618 |
| 125+ | $ 0.556 |
| 250+ | $ 0.503 |
| 500+ | $ 0.450 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.402 |
| 7500+ | $ 0.365 |
| 12500+ | $ 0.358 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP10H400SE-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4799
Rodo à Medida07AH3793RL
Segmento de fita07AH3793
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
On Resistance Rds(on)0.203ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
DMP10H400SE-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include motor control, DC-DC converters, power management functions and uninterrupted power supply.
- Low gate drive, low input capacitance, fast switching speed
- Drain-source voltage is -100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -6A at TC = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (380µs pulse, duty cycle = 1%) is -10A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 250mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- Maximum body diode forward current is -1.9A at TA = +25°C
- SOT223 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.203ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto