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DMN63D8LDW-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN63D8LDW-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4791
Rolo completo98AC1191
Rodo à Medida82Y6580RL
Segmento de fita82Y6580
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.267 | $ 1.34 |
| Total Preço | $ 1.34 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.267 |
| 50+ | $ 0.160 |
| 100+ | $ 0.111 |
| 250+ | $ 0.099 |
| 500+ | $ 0.086 |
| 1000+ | $ 0.071 |
| 2500+ | $ 0.067 |
| 5000+ | $ 0.063 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.055 |
| 6000+ | $ 0.052 |
| 12000+ | $ 0.048 |
| 18000+ | $ 0.045 |
| 30000+ | $ 0.041 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN63D8LDW-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4791
Rolo completo98AC1191
Rodo à Medida82Y6580RL
Segmento de fita82Y6580
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id260mA
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel260mA
Continuous Drain Current Id P Channel260mA
Drain Source On State Resistance N Channel2.8ohm
Drain Source On State Resistance P Channel2.8ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel400mW
Power Dissipation P Channel400mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
DMN63D8LDW-7 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include DC-DC converters, power management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low input capacitance, ESD protected gate
- Fast switching speed, small surface mount package
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 220mA at TA = +25°C, VGS = 10V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 300mW at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 2.8ohm max at VGS = 10.0V, ID = 250mA, TA = +25°C
- SOT363 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
260mA
Drain Source On State Resistance P Channel
2.8ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
400mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
260mA
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
260mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.8ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para DMN63D8LDW-7
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto