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DMN32D4SDW-7
MOSFET, DUAL, N-CH, 30V, 0.65A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN32D4SDW-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8572RL
Segmento de fita28AK8572
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 43 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.424 | $ 2.12 |
| Total Preço | $ 2.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.424 |
| 50+ | $ 0.269 |
| 100+ | $ 0.177 |
| 250+ | $ 0.158 |
| 500+ | $ 0.138 |
| 1000+ | $ 0.125 |
| 2500+ | $ 0.123 |
| 5000+ | $ 0.120 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN32D4SDW-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8572RL
Segmento de fita28AK8572
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id650mA
Continuous Drain Current Id N Channel650mA
Continuous Drain Current Id P Channel650mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel350mW
Power Dissipation P Channel350mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
650mA
Continuous Drain Current Id P Channel
650mA
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
350mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
650mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.4ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto