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DMN3032LFDBWQ-7
MOSFET, DUAL N-CH, 5.5A, 30V, 150DEG C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN3032LFDBWQ-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AH9545RL
Segmento de fita68AH9545
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 43 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.220 | $ 1.22 |
| Total Preço | $ 1.22 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.220 |
| 50+ | $ 0.842 |
| 100+ | $ 0.655 |
| 250+ | $ 0.616 |
| 500+ | $ 0.577 |
| 1000+ | $ 0.536 |
| 2500+ | $ 0.492 |
| 5000+ | $ 0.448 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN3032LFDBWQ-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AH9545RL
Segmento de fita68AH9545
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.5A
Continuous Drain Current Id P Channel5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleUDFN2020
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel820mW
Power Dissipation P Channel820mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
820mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
5.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
UDFN2020
Power Dissipation N Channel
820mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto