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DMN3026LVT-7
MOSFET, N-CH, 30V, 6.6A, TSOT-26
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN3026LVT-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark28AK8547
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.649 |
| 10+ | $ 0.403 |
| 25+ | $ 0.354 |
| 50+ | $ 0.306 |
| 100+ | $ 0.258 |
| 250+ | $ 0.251 |
| 500+ | $ 0.244 |
| 1000+ | $ 0.194 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 3.24
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN3026LVT-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark28AK8547
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.2W
Power Dissipation Pd1.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto