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DMN3016LFDE-13
MOSFET, N-CH, 30V, 10A, U-DFN2020
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN3016LFDE-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8535
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.597 |
| 10+ | $ 0.366 |
| 25+ | $ 0.321 |
| 50+ | $ 0.278 |
| 100+ | $ 0.234 |
| 250+ | $ 0.207 |
| 500+ | $ 0.180 |
| 1000+ | $ 0.159 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 2.98
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN3016LFDE-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8535
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation730mW
Power Dissipation Pd730mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
730mW
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto