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DMN2310UFD-7
POWER MOSFET, 20V, 1.9A, U-DFN1212-3
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2310UFD-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida76AJ4260RL
Segmento de fita76AJ4260
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.686 | $ 3.43 |
| Total Preço | $ 3.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.686 |
| 15+ | $ 0.277 |
| 25+ | $ 0.271 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2310UFD-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida76AJ4260RL
Segmento de fita76AJ4260
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.9A
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleU-DFN1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation1.1W
Power Dissipation Pd1.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Case Style
U-DFN1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
Power Dissipation Pd
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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