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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2028USS-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5553
Rodo à Medida27T2699
Segmento de fita27T2699
Seu número de peça
800 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.917 | $ 4.58 |
| Total Preço | $ 4.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.917 |
| 10+ | $ 0.571 |
| 25+ | $ 0.504 |
| 50+ | $ 0.438 |
| 100+ | $ 0.371 |
| 250+ | $ 0.328 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.254 |
| 5000+ | $ 0.243 |
| 10000+ | $ 0.232 |
| 15000+ | $ 0.219 |
| 25000+ | $ 0.205 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2028USS-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5553
Rodo à Medida27T2699
Segmento de fita27T2699
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9.8A
On Resistance Rds(on)0.011ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.56W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.56W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The DMN2028USS-13 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It has been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low output leakage
- ESD Protected up to 2KV
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicações
Power Management, Defence, Military & Aerospace, Automotive, Portable Devices
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.56W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.011ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.56W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
