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DMN2015UFDE-7
MOSFET, N-CH, 20V, 10.5A, U-DFN2020
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2015UFDE-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8492
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.948 |
| 10+ | $ 0.591 |
| 25+ | $ 0.522 |
| 50+ | $ 0.452 |
| 100+ | $ 0.383 |
| 250+ | $ 0.339 |
| 500+ | $ 0.294 |
| 1000+ | $ 0.265 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.95
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2015UFDE-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark28AK8492
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source On State Resistance9300µohm
On Resistance Rds(on)0.0093ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation660mW
Power Dissipation Pd660mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
9300µohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
660mW
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
On Resistance Rds(on)
0.0093ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation Pd
660mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto