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DMN2013UFDE-7
MOSFET, N-CH, 20V, 10.5A, U-DFN2020
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2013UFDE-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida36AJ3578RL
Segmento de fita36AJ3578
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.628 | $ 0.63 |
| Total Preço | $ 0.63 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.628 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2013UFDE-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida36AJ3578RL
Segmento de fita36AJ3578
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10.5A
On Resistance Rds(on)0.0084ohm
Drain Source On State Resistance8400µohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation2.03W
Power Dissipation Pd2.03W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0084ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.03W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
Drain Source On State Resistance
8400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation Pd
2.03W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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