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DMN10H220L-7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN10H220L-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH3756
Rodo à Medida07AH3755RL
Segmento de fita07AH3755
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.518 | $ 0.52 |
| Total Preço | $ 0.52 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.518 |
| 50+ | $ 0.330 |
| 100+ | $ 0.219 |
| 250+ | $ 0.195 |
| 500+ | $ 0.171 |
| 1000+ | $ 0.155 |
| 2500+ | $ 0.152 |
| 5000+ | $ 0.149 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.136 |
| 9000+ | $ 0.121 |
| 15000+ | $ 0.115 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN10H220L-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH3756
Rodo à Medida07AH3755RL
Segmento de fita07AH3755
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.3W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
DMN10H220L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications and load switches.
- Low on resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±16V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1.6A at TA = +25°C, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 8A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.3W at TA = +25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 0.6A at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.3W
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para DMN10H220L-7
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto