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DMG6602SVTQ-7
MOSFET, AECQ101, COMPLEMENT, 30V, TSOT26
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG6602SVTQ-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH3751
Rodo à Medida07AH3750RL
Segmento de fita07AH3750
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.568 | $ 2.84 |
| Total Preço | $ 2.84 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.568 |
| 50+ | $ 0.360 |
| 100+ | $ 0.239 |
| 250+ | $ 0.213 |
| 500+ | $ 0.187 |
| 1000+ | $ 0.170 |
| 2500+ | $ 0.167 |
| 5000+ | $ 0.163 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.119 |
| 6000+ | $ 0.113 |
| 12000+ | $ 0.108 |
| 18000+ | $ 0.101 |
| 30000+ | $ 0.094 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG6602SVTQ-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH3751
Rodo à Medida07AH3750RL
Segmento de fita07AH3750
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id3.4A
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel840mW
Power Dissipation P Channel840mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
840mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
840mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto