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DMG6601LVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG6601LVT-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4747
Rodo à Medida82Y6568RL
Segmento de fita82Y6568
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.440 | $ 0.44 |
| Total Preço | $ 0.44 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.440 |
| 50+ | $ 0.269 |
| 100+ | $ 0.187 |
| 250+ | $ 0.167 |
| 500+ | $ 0.146 |
| 1000+ | $ 0.133 |
| 2500+ | $ 0.122 |
| 5000+ | $ 0.111 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.110 |
| 6000+ | $ 0.104 |
| 12000+ | $ 0.099 |
| 18000+ | $ 0.093 |
| 30000+ | $ 0.085 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG6601LVT-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4747
Rodo à Medida82Y6568RL
Segmento de fita82Y6568
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.034ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel850mW
Power Dissipation P Channel850mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Complementary MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.034ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
850mW
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
3.8A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.034ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
850mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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