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DMG2307L
Power MOSFET, Enhancement Mode, P Channel, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG2307LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4741
Rodo à Medida65T8209RL
Segmento de fita65T8209
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.296 | $ 1.48 |
| Total Preço | $ 1.48 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.296 |
| 15+ | $ 0.231 |
| 25+ | $ 0.163 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.113 |
| 9000+ | $ 0.103 |
| 15000+ | $ 0.087 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG2307LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4741
Rodo à Medida65T8209RL
Segmento de fita65T8209
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.6A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd760mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation760mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The DMG2307L is a P-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Halogen-free, Green device
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicações
Power Management, Defence, Military & Aerospace, Portable Devices
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.6A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
760mW
Power Dissipation
760mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto