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DMC4029SSDQ-13
MOSFET, DUAL, N/P-CH, 40V, 7A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC4029SSDQ-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8387RL
Segmento de fita28AK8387
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 43 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.530 | $ 1.53 |
| Total Preço | $ 1.53 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.530 |
| 50+ | $ 1.010 |
| 100+ | $ 0.711 |
| 250+ | $ 0.647 |
| 500+ | $ 0.582 |
| 1000+ | $ 0.541 |
| 2500+ | $ 0.530 |
| 5000+ | $ 0.519 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC4029SSDQ-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8387RL
Segmento de fita28AK8387
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id7A
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.8W
Power Dissipation P Channel1.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
7A
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.8W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto