Imprimir página
DMC3016LSD-13
MOSFET, DUAL, N/P-CH, 30V, 8.2A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC3016LSD-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8373RL
Segmento de fita28AK8373
Seu número de peça
66 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.907 | $ 0.91 |
| Total Preço | $ 0.91 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.907 |
| 50+ | $ 0.597 |
| 100+ | $ 0.416 |
| 250+ | $ 0.377 |
| 500+ | $ 0.338 |
| 1000+ | $ 0.313 |
| 2500+ | $ 0.280 |
| 5000+ | $ 0.274 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC3016LSD-13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida28AK8373RL
Segmento de fita28AK8373
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.2A
Continuous Drain Current Id P Channel8.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
8.2A
Continuous Drain Current Id N Channel
8.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto