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DMC2038LVT-7
MOSFET, COMPLEMENTARY, 20V, 3.7A, TSOT26
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC2038LVT-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH3729
Rodo à Medida07AH3728RL
Segmento de fita07AH3728
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.720 | $ 8.60 |
| Total Preço | $ 8.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.720 |
| 50+ | $ 1.680 |
| 100+ | $ 1.610 |
| 250+ | $ 1.590 |
| 500+ | $ 1.560 |
| 1000+ | $ 1.540 |
| 2500+ | $ 1.520 |
| 5000+ | $ 1.500 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.129 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC2038LVT-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH3729
Rodo à Medida07AH3728RL
Segmento de fita07AH3728
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.7A
Continuous Drain Current Id P Channel3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.027ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel800mW
Power Dissipation P Channel800mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.027ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
800mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
3.7A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.027ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto