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2N7002E-7-F
MOSFET, N-CH, 60V, 0.25A, SOT-23
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricante2N7002E-7-FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6729
Rodo à Medida89AH0599
Segmento de fita89AH0599
Gama de produtos2N7002E
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.283 | $ 1.41 |
| Total Preço | $ 1.41 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.283 |
| 10+ | $ 0.175 |
| 25+ | $ 0.153 |
| 50+ | $ 0.130 |
| 100+ | $ 0.108 |
| 250+ | $ 0.094 |
| 500+ | $ 0.079 |
| 1000+ | $ 0.070 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.043 |
| 6000+ | $ 0.041 |
| 12000+ | $ 0.038 |
| 18000+ | $ 0.035 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricante2N7002E-7-FCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6729
Rodo à Medida89AH0599
Segmento de fita89AH0599
Gama de produtos2N7002E
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id250mA
On Resistance Rds(on)1.6ohm
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd370mW
Power Dissipation370mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range2N7002E
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
370mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
2N7002E
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
370mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto