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2N7002A-7
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricante2N7002A-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH5031
Rodo à Medida07AH5030RL
Segmento de fita07AH5030
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.245 | $ 0.24 |
| Total Preço | $ 0.24 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.245 |
| 10+ | $ 0.144 |
| 25+ | $ 0.129 |
| 50+ | $ 0.113 |
| 100+ | $ 0.098 |
| 250+ | $ 0.086 |
| 500+ | $ 0.074 |
| 1000+ | $ 0.067 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.039 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricante2N7002A-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark
Rolo completo07AH5031
Rodo à Medida07AH5030RL
Segmento de fita07AH5030
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180mA
On Resistance Rds(on)3.5ohm
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd370mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation370mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
2N7002A-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and motor control.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Small surface mount package
- ESD protected gate, 1.2kV HBM, 1kV CDM
- Drain-source voltage is 60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle=1%) is 800mA at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 3.5ohm typ at VGS=5.0V, ID=0.115A, TJ=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
3.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180mA
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
370mW
Power Dissipation
370mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto