Imprimir página
IMYH200R012M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMYH200R012M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark86AK9961
Gama de produtosCoolSiC Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 78.040 |
| 5+ | $ 72.730 |
| 10+ | $ 67.410 |
| 25+ | $ 62.100 |
| 50+ | $ 56.780 |
| 100+ | $ 55.640 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 78.04
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMYH200R012M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark86AK9961
Gama de produtosCoolSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id123A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StyleTO-247 Plus
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation552W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
123A
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
TO-247 Plus
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
552W
Product Range
CoolSiC Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto