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NVH4L095N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 650 V, 0.105 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L095N065SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark85AK4675
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.560 |
| 10+ | $ 10.520 |
| 25+ | $ 10.400 |
| 50+ | $ 10.280 |
| 100+ | $ 10.160 |
| 250+ | $ 10.040 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 15.56
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L095N065SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark85AK4675
Gama de produtosEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.105ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation129W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
129W
Product Range
EliteSiC Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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