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SCTH40N120G2V7AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTH40N120G2V7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark69AH2141
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 12.790 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 12.79
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTH40N120G2V7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark69AH2141
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation
250W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto