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C3M0065090J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteWOLFSPEED
Nº da peça do fabricanteC3M0065090JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark98Y6017
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Informação do produto
FabricanteWOLFSPEED
Nº da peça do fabricanteC3M0065090JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark98Y6017
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source Voltage Vds900V
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd113W
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation113W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Power Dissipation Pd
113W
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
113W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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