Imprimir página
NVH4L030N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.0285 ohm, TO-247
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L030N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark57AK6425
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 30+ | $ 17.430 |
| 60+ | $ 16.280 |
| 90+ | $ 15.820 |
| 150+ | $ 15.350 |
| 300+ | $ 15.040 |
| 750+ | $ 14.740 |
| 1500+ | $ 14.430 |
| 3000+ | $ 14.120 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 30
Vários: 30
$ 522.90
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L030N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark57AK6425
Ficha técnica
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.13V
Power Dissipation308W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.13V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
308W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para NVH4L030N120M3S
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto