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WNSC2M150120B76J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28.7 A, 1.2 kV, 150 mohm, TO-263
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWNSC2M150120B76JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida27AM4936RL
Segmento de fita27AM4936
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.600 | $ 3.60 |
| Total Preço | $ 3.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.600 |
| 10+ | $ 3.230 |
| 25+ | $ 2.970 |
| 50+ | $ 2.700 |
| 100+ | $ 2.420 |
| 250+ | $ 2.150 |
| 500+ | $ 2.000 |
| 1600+ | $ 1.920 |
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Informação do produto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWNSC2M150120B76JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida27AM4936RL
Segmento de fita27AM4936
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28.7A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance150mohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation231W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28.7A
Drain Source On State Resistance
150mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
231W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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