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MJD112G
Darlington Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMJD112GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark58M9087
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.720 |
| 10+ | $ 0.574 |
| 100+ | $ 0.245 |
| 500+ | $ 0.230 |
| 1000+ | $ 0.214 |
| 2500+ | $ 0.189 |
| 10000+ | $ 0.186 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.72
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMJD112GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark58M9087
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current2A
Transition Frequency25MHz
DC Collector Current2A
Power Dissipation1.75W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min12000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
2A
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
Transition Frequency
25MHz
Power Dissipation
1.75W
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min
12000hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para MJD112G
6 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos