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GD150HFX65C1S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 650V, 180A
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FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD150HFX65C1SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark84AH5713
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 58.250 |
| 5+ | $ 57.090 |
| 10+ | $ 55.870 |
| 48+ | $ 55.270 |
| 72+ | $ 54.680 |
| 120+ | $ 52.290 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 58.25
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD150HFX65C1SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark84AH5713
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current180A
Continuous Collector Current180A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation Pd437W
Power Dissipation437W
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
180A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation
437W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
180A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation Pd
437W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto