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EE-SX673A
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 100 A, 3 V, 672 W, 150 °C, Module
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![OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION EE-SX673A IGBT Module, Dual [Half Bridge], 100 A, 3 V, 672 W, 150 °C, Module](https://www.newark.com/productimages/standard/en_US/4612626.jpg)
FabricanteOMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
Nº da peça do fabricanteEE-SX673ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark19K9202
Gama de produtosA Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 30 Semana(s)
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Informação do produto
FabricanteOMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
Nº da peça do fabricanteEE-SX673ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark19K9202
Gama de produtosA Series
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Power Dissipation672W
Power Dissipation Pd672W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench Gate]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeA Series
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The CM100DY-24A is a 1200V Dual IGBTMOD™ A-series Module designed for use in switching applications. Each module consists of two IGBT Transistors in a half-bridge configuration with each transistor having a reverse connected super-fast recovery freewheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat sinking baseplate, offering simplified system assembly and thermal management.
- Low drive power
- Low VCE (sat)
- Discrete super-fast recovery free-wheel diode
- Isolated baseplate for easy heat sinking
- ±20V Gate-emitter voltage (C-E short)
- 200A Peak collector current
- 100A Emitter current
Aplicações
Motor Drive & Control, Power Management
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
672W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 5 [Trench Gate]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Power Dissipation Pd
672W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
A Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto